Алмазные подложки и теплоотводы

Разработчик: Лаборатория обработки и передачи информации

 

Функциональное назначение:

теплоотводящие основания для изделий электронной техники, преобразователей УФ-излучения, подложки для эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллических алмазных слоёв для СВЧ-транзисторов, оптические окна для источников мощного излучения, звукопроводов акустоэлектронных устройств.

Основные технические характеристики:

• алмазные подложки оптоэлектронного и инструментального назначения с шероховатостью Ra < 20 нм;
• алмазные подложки для эпитаксиального наращивания монокристаллических полупроводниковых алмазных слоёв оптического качества с ненарушенной кристаллической структурой поверхностного слоя с Ra < 1,0 нм;
• теплопроводность > 1000 Вт/м К.

Область применения:

алмазные подложки предназначены для использования в качестве теплоотводов, детекторов УФ-излучения, для изготовления СВЧ-транзисторов, находят широкое применение в оптоэлектронике и металлообработке.

Габаритные линейные размеры: 2.0 x 6.0 мм; толщина: 0,2-2.0 мм.