Центр коллективного пользования уникальным научным оборудованием создан в НИИПФП имени А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете Министерства образования Республики Беларусь.

Адрес:
220045 г. Минск, ул. Курчатова, 7
тел. 363-48-33, факс 249-68-12, email: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Руководитель: доктор физико-математических наук, профессор, академик НАН Беларуси Комаров Фадей Фадеевич

Положение о ЦКП

Главные направления исследований:

• ионно-лучевое легирование материалов в диапазоне энергий 5÷2500 кэВ;
• нанесение слоев металлов, полупроводников и диэлектриков толщиной от 1 нм до 10 мкм плазменными, ионно-плазменными, ионно-ассистируемыми, лазерными методам и методом лазерной фотохимии;
• формирование наноструктурированных систем в полупроводниках, металлах и диэлектриках из пересыщенных твердых растворов созданных высокодозной ионной имплантацией и методами планарной технологии;
• лазерная обработка оптически прозрачных материалов и пластмасс;
• количественный неразрушающий анализ по глубине объекта с помощью обратного резерфордовского рассеяния ОРР и выхода характеристического рентгеновского излучения (PIXE);
• неразрушающий анализ распределения дефектов структуры по глубине объекта методом ОРР с каналированием ионов;
• определение местоположения дефектов и примесных атомов в элементарной ячейке кристалла;
• измерение электрофизических и оптических характеристик твердотельных объектов;
• измерение вольтамперных (I – V), вольтфарадных (C – V) характеристик и DLTS-спектрометрия полупроводниковых материалов, структур и приборов нано- и микроэлектроники;
• трибомеханические испытания материалов (микротвердость, износ и коэффициент трения);
• фазовый и структурный анализ материалов просвечивающей электронной микроскопией и cross-section электронной микроскопией.

Перечень основных методик измерений:

• методики анализа структуры, типа дефектов и элементного состава по глубине объектов методом ОРР с каналированием ионов;
• методика прецизионного элементного анализа по выходу вторичного рентгеновского излучения, возбуждаемого ионами (PIXE);
• методики просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции;
• методика подготовки материалов для просвечивающей и cross-section электронной микроскопии;
• методика cross-section электронной микроскопии;
• методика контроля тонких и сверхтонких слоев материалов методом лазерной элипсометрии;
• методики измерений электрофизических параметров материалов и приборных структур (I – V, C – V, холловские измерения);
• методика нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS);
• методики контроля оптических характеристик материалов и приборных структур (ИК-спектроскопия, рамановская спектроскопия);
• методики контроля адгезии и трибомеханических свойств;
• методика определения местоположения атомов в элементарной ячейке кристалла по каналированию ионов;
• методика элементного анализа по глубине объектов методом OPP с электростатическим анализатором с разрешением по глубине 1 нм;
• методика создания объемных изображений внутри прозрачных материалов.

Основное научное оборудование (характеристики)

• Камера рентгеновская VHR-2 «Photonic Sciеnce»;
• Микроскоп электронный ЭМ-125;
• Ускоритель частиц АN–2500 HVE;
• Ускоритель частиц ЭСУ-2;
• Система препарирования образцов электронной микроскопии;
• Просвечивающий электронный микроскоп Hitachi H-800;
• Установка для быстрого термического отжига «JETFIRST 100»;
• Измерительный спектроскопический комплекс RAMANOR U-1000;
• Лазерная технологическая система 4001194 ELS-02М;
• Лазер LS-2134D с системой контроля параметров излучения и программным управлением.
• Аппаратно-программный комплекс для измерений электромагнитных излучений
• Цифровой запоминающий осциллограф с технологией цифрового люминофора Tektronix DPO7254С
• Анализатор электромагнитной совместимости с измерительной антенной и программным обеспечением